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STGD4H60DF

Name: STMicroelectronics STGD4H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD4H60DF
Price: 1.06 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGD4H60DF

N. produttore:

STGD4H60DF

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT

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Scheda dati:

STGD4H60DF Scheda dati (PDF)

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,06 €	1,06 €
	0,666 €	6,66 €
	0,439 €	43,90 €
	0,352 €	176,00 €
	0,316 €	316,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,285 €	712,50 €
	0,243 €	1.215,00 €
	0,241 €	2.410,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.95 V
Tensione gate-emettitore massima:	20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	8 A
Pd - Dissipazione di potenza:	75 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT STGD4H60DF ad alta velocità serie H 600 V 4 A

L’IGBT ad alta velocità serie H 4 A STGD4H60DF 600 V di STMicroelectronics è progettato con un’avanzata struttura field-stop trench-gate. Gli IGBT STGD4H60DF STMicroelectronics nella serie H bilanciano la conduzione ed efficienza di commutazione, caratteristica che li rende ideali per i convertitori ad alta frequenza. I dispositivi offrono anche un coefficiente di temperatura V_{CE (sat)} leggermente positivo e una distribuzione uniforme dei parametri per un funzionamento parallelo più sicuro.