FET SiC Gen 4 100 V UF4C/SC

I FET SiC Gen 4 1200 V UF4C/SC di onsemi sono una serie ad alte prestazioni che offre i migliori valori di merito del settore. I FET SiC Gen 4 1200 V UF4C/SC sono ideali per le principali architetture di bus da 800 V nei caricatori di bordo per veicoli elettrici, caricabatterie industriali, alimentatori industriali, energie rinnovabili, accumulo di energia, saldatrici, UPS e applicazioni di riscaldamento a induzione. Disponibile in opzioni da 23 mΩ a 70 mΩ, la serie Gen 4 si basa su un'esclusiva configurazione a cascata, in cui un JFET SiC ad alte prestazioni è cointegrato con un MOSFET Si ottimizzato per produrre un dispositivo SiC a gate drive standard. Questa funzionalità consente una progettazione flessibile senza modificare la tensione del gate drive, sostituendo facilmente IGBT Si, FET Si, FET SiC o dispositivi super-junction Si.

Risultati: 11
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 768A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-3 678A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/53MOSICFETG4TO263-7 747A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/70MOSICFETG4TO263-7 513A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 692A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-3 674A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 416A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 81A magazzino
60020/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi MOSFET SiC UF4C120053B7S 200A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC UF4C120070B7S 200A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 2A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET