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SIA429DJT-T1-GE3

Name: Vishay SIA429DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA429DJT-T1-GE3
Price: 0.76 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

781-SIA429DJT-T1-GE3

N. produttore:

SIA429DJT-T1-GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

Scheda dati:

SIA429DJT-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,765 €	0,77 €
	0,473 €	4,73 €
	0,307 €	30,70 €
	0,236 €	118,00 €
	0,212 €	212,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,182 €	546,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SC-70-6
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	12 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	20.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	62 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	3.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET, PowerPAK
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	SIA
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Alias n. parte:	SIA429DJT-GE3

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Scheda dati

SIA429DJT-T1-GE3 Scheda dati

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs

Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Ch TrenchFET^® Power MOSFETs offer a low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile. Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET Power MOSFETs come in a thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package with an ultra-low 0.6mm profile. The SiA429DJT is ideal for DC/DC converters and load and charger switches. The lower on-resistance translates into lower conduction losses.