LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Polarità transistor
Tecnologia
Id - corrente di drain continua
Vds - Tensione di rottura drain-source
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Frequenza di lavoro
Guadagno
Potenza di uscita
Temperatura di lavoro massima
Stile di montaggio
Package/involucro
Confezione
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 100
Mult.: 100
Nastrati: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel
STMicroelectronics Transistor RF MOSFET RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 28 settimane
Min: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk