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NTMFSC006N12MC

Name: onsemi NTMFSC006N12MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSC006N12MC
Price: 2.8 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMFSC006N12MC

N. produttore:

NTMFSC006N12MC

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

Scheda dati:

NTMFSC006N12MC Scheda dati

Modello ECAD:

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	1,26 €	126,00 €
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	1,03 €	1.030,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	120 V
Id - corrente di drain continua:	92 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	6.1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	48 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	104 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	5.7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5.3 ns
Serie:	NTMFSC006N12MC
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	25.5 ns
Tipico ritardo di accensione:	15.2 ns

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Scheda dati

NTMFSC006N12MC Scheda dati

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N Dual Cool NTMFSC006N

Il MOSFET di potenza Dual Cool™ a Canale N NTMFSC006N di Onsemi offre il processo di potenza trench^® in un packaging raffreddato su due lati. Questo MOSFET di potenza presenta bassissima R_DS(ON), 120 V di tensione drain-to-source , ±20 V di tensione gate-to-source , corrente di drain pulsata 1.459 A, e 150 °C di temperatura massima di giunzione di funzionamento/di conservazione. Il MOSFET di potenza a canale N Dual Cool™ NTMFSC006N è testato in base alla norma UIL 100% e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono alimentatori CA-CC, FET CC-CC primario, raddrizzatore sincrono e conversione CC-CC.