NTMFSC006N12MC

onsemi
863-NTMFSC006N12MC
NTMFSC006N12MC

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
120 V
92 A
6.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
48 nC
+ 150 C
104 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 5.7 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 5.3 ns
Serie: NTMFSC006N12MC
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 25.5 ns
Tipico ritardo di accensione: 15.2 ns
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:
Filippine
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza a canale N Dual Cool NTMFSC006N

Il MOSFET di potenza Dual Cool™ a Canale N NTMFSC006N di Onsemi offre il processo di potenza trench® in un packaging raffreddato su due lati. Questo MOSFET di potenza presenta bassissima RDS(ON), 120 V di tensione drain-to-source , ±20 V di tensione gate-to-source , corrente di drain pulsata 1.459 A, e 150 °C di temperatura massima di giunzione di funzionamento/di conservazione. Il MOSFET di potenza a canale N Dual Cool™ NTMFSC006N è testato in base alla norma UIL 100% e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono alimentatori CA-CC, FET CC-CC primario, raddrizzatore sincrono e conversione CC-CC.

A magazzino: 105

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