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QPC1005

Name: Qorvo QPC1005
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPC1005
Price: 184.82 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

772-QPC1005

N. produttore:

QPC1005

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

Circuiti integrati commutatori RF 50W 0.15-2.8GHz GaN SPDT

Scheda dati:

QPC1005 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	Circuiti integrati commutatori RF
RoHS::
Configurazione interruttore:	SPDT
Frequenza minima:	150 MHz
Frequenza massima:	2.8 GHz
Perdita di inserzione:	0.7 dB
Isolamento in stato inattivo - Tip:	29 dB
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-24
Tecnologia:	GaN
Serie:	QPC1005
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Qorvo
Tensione di controllo alta:	- 50 V
Sensibili all’umidità:	Yes
Numero di interruttori:	Single
Corrente di alimentazione operativa:	3 mA
Pd - Dissipazione di potenza:	12 W
Tipo di prodotto:	RF Switch ICs
Quantità colli di fabbrica:	100
Sottocategoria:	Wireless & RF Integrated Circuits
Alias n. parte:	QPC1005SR

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 5A991.g

Interruttore a corsa doppia (SPDT) unipolare QPC1005

L'interruttore a doppia–corsa (SPDT) unipolare QPC1005 di Qorvo è fabbricato secondo il processo di produzione GaN su SiC QGaN25 0,25 um di Qorvo’. Operando da 0,15 a 2,8 GHz, il QPC1005 supporta tipicamente la gestione della potenza di ingresso di 50 W a tensioni di controllo di 0/−40 V per le operazioni CW e RF a impulsi. Questo interruttore mantiene una bassa perdita di inserzione inferiore a 0,7 dB e un isolamento superiore a 30 dB, rendendolo ideale per applicazioni di commutazione ad alta potenza su piattaforme commerciali e di difesa. Il QPC1005 di Qorvo è disponibile in un package QFN sovrastampato in plastica da 4 mm x 4 mm.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.