S25FL MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory

Infineon Technologies S25FL128S/S25FL256S MIRRORBIT™ Flash Non-Volatile Memory devices employ MIRRORBIT technology that stores two data bits in each memory array transistor. These Infineon devices feature 65nm process lithography as well as Eclipse architecture that dramatically improves program and erase performance. Infineon S25FL128S and S25FL256S Flash Non-Volatile Memory devices offer high densities coupled with the flexibility and fast performance required by a variety of embedded applications. They are ideal for code shadowing, XIP, and data storage.

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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Serie
Dimensioni memoria
Tensione di alimentazione - Min.
Tensione di alimentazione - Max.
Lettura corrente attiva - Massima
Tipo di interfaccia
Frequenza di clock massima
Organizzazione
Larghezza bus dati
Tipo di temporizzazione
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Qualifica
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SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 55 C + 125 C Reel
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SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
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SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel
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SMD/SMT WSON-8 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Reel