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NVMFD5C650NLWFT1G

Name: onsemi NVMFD5C650NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C650NLWFT
Price: 4.45 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

863-NVMFD5C650NLWFT

N. produttore:

NVMFD5C650NLWFT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T6 60V LL S08FL DS

Scheda dati:

NVMFD5C650NLWFT1G Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,45 €	4,45 €
	3,35 €	33,50 €
	2,41 €	241,00 €
	2,36 €	1.180,00 €
	2,19 €	2.190,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	2,00 €	3.000,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SO-8FL-Dual-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	111 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.5 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	37 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	125 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	13 ns, 13 ns
Transconduttanza diretta - Min:	120 S, 120 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	24 ns, 24 ns
Serie:	NVMFD5C650NL
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	37 ns, 37 ns
Tipico ritardo di accensione:	13 ns, 13 ns
Peso unità:	161,193 mg

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Scheda dati

NVMFD5C650NLWFT1G Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.