HMC637BPM5E MMICs

Analog Devices Inc. HMC637BPM5E Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) are gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMT), cascode distributed power amplifiers. Analog Devices MMICs are self-biased in normal operation and feature optional bias control for quiescent current (IDQ) adjustment and the second-order intercept (IP2) and third-order intercept (IP3) optimization. The amplifiers operate from DC to 7.5GHz, providing 15.5dB of small signal gain and 28dBm output power at 1dB gain compression. The devices also feature a typical output IP3 of 39dBm, and a 3.5dB noise figure, while requiring 345mA from a 12V supply voltage (VDD).

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Frequenza di lavoro
Tensione di alimentazione di lavoro
Corrente di alimentazione operativa
Guadagno
NF - Cifra di rumore
Tipo
Stile di montaggio
Package/involucro
Tecnologia
P1dB - Punto di compressione
OIP3 - Intercetta del terzo ordine
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Analog Devices Amplificatori RF Distributed amp
Scheda dati
121A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

0 Hz to 7.5 GHz 12 V 345 mA 15.5 dB 3.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 39 dBm - 55 C + 85 C HMC637 Cut Tape
Analog Devices Amplificatori RF Distributed amp
Scheda dati
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Min: 500
Mult.: 500
Nastrati: 500

0 Hz to 7.5 GHz 12 V 345 mA 15.5 dB 3.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 39 dBm - 55 C + 85 C HMC637 Reel