DMTH601xLPSQ N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMTH601xLPSQ 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of automotive applications. DMTH601xLPSQ MOSFETs are qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP (Production Part Approval Process), and are ideal for use in engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters. DMTH601xLPSQ MOSFETs offer low RDS(ON), low input capacitance, and fast switching speed. Offered in Diodes Incorporated's unique PowerDI®5060 package, DMTH601xLPSQ MOSFETs are rated to +175ºC and feature an off-board height of <1.1mm. This makes DMTH601xLPSQ MOSFETs well suited for high-temperature environments and low-profile applications.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A 2.729A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 6.919A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel