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SI6423ADQ-T1-GE3

Name: Vishay SI6423ADQ-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI6423ADQ-T1-GE3
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SI6423ADQ-T1-GE3

N. produttore:

SI6423ADQ-T1-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

Scheda dati:

SI6423ADQ-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,26 €	1,26 €
	0,791 €	7,91 €
	0,526 €	52,60 €
	0,412 €	206,00 €
	0,375 €	375,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,337 €	1.011,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSSOP-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	12.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	9.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	112 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.2 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Tempo di caduta:	36 ns
Transconduttanza diretta - Min:	70 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	120 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns
Peso unità:	158 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET da 20 V a canale P Si6423ADQ

Il MOSFET da 20 V a canale P Si6423ADQ Vishay / Siliconix è offerto in un package TSSOP-8 con tensione drain-source di -20 V e un'energia nominale di valanga a impulso singolo di 20 mJ. Questo MOSFET presenta un design a configurazione singola. È privo di alogeni, conforme a RoHS e testato al 100% R_g e UIS. Il MOSFET da 20 V a canale P Si6423ADQ di Vishay è progettato per interruttori di carico, interruttori a batteria e applicazioni di gestione dell'alimentazione.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.