Modulo ibrido Si/SiC NXH600B100H4Q2F2SG

Il modulo ibrido Si/SiC NXH600B100H4Q2F2SG di onsemi   è un modulo boost simmetrico a tre canali. Ogni canale ospita due IGBT da 200 A 1000 V e due diodi SiC da 60 A 1.200 V. Il modulo ospita anche un termistore NTC. Il modulo trova impiego in applicazioni come inverter fotovoltaici e gruppi di continuità.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Package/involucro
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
onsemi Moduli IGBT MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN
Scheda dati
36A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Single 1 kV 1.69 V 1 uA 187.5 mW PIM-44 - 40 C + 150 C Tray


onsemi Moduli IGBT MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Scheda dati
35A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si/SiC Hybrid Modules Triple 1 kV 1.69 V 192 A 1 uA 511 W - 40 C + 175 C Tray