FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi / Fairchild FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This MOSFET features fast switching speed and high power and current handling capability in a widely used surface mount package. The onsemi / Fairchild FDD86102 MOSFET is optimized for low rDS(on), switching performance, and ruggedness. Typical application includes DC/DC conversion.

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione

onsemi MOSFET 100V N-Channel PowerTrench 11.960A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 8 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 13.4 nC - 55 C + 125 C 3.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 881A magazzino
12.500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel