MOSFET di potenza

MOSFET di potenza YAGEO XSemi utilizza tecniche di elaborazione avanzate per una bassa resistenza di accensione, efficienza, e convenienza. I MOSFET di potenza YAGEO XSemi sono disponibili in diversi pacchetti per soddisfare le esigenze delle applicazioni. I pacchetti disponibili per il dispositivo sono ampiamente utilizzati per applicazioni commerciali e industriali.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23S 2.868A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 2.970A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 20V 0.2A SOT-723
10.00018/03/2026 previsto
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Mult.: 1
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Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
6.00003/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 11 A, 7.3 A 18 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V, 2 V 5.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel