BC846B-Q

Diotec Semiconductor
637-BC846B-Q
BC846B-Q

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, NPN, 0.25W, 150C

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
Novità da questo produttore.
Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 3.000

A magazzino:
3.000 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
10 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
0,086 € 0,09 €
0,053 € 0,53 €
0,045 € 4,50 €
0,035 € 17,50 €
0,031 € 31,00 €
0,023 € 57,50 €
10.000 Offerta

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Diotec Semiconductor
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
NPN
Single
100 mA
65 V
80 V
6 V
200 mV
250 mW
300 MHz
- 55 C
+ 150 C
Reel
Marchio: Diotec Semiconductor
Corrente continua collettore: 100 mA
Guadagno in corrente CC hFE max: 800 V
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Sottocategoria: Transistors
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:
8541210000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH. This transistor operates at 65V collector-emitter voltage, 80V collector-base voltage, 6V emitter-base voltage, and 200mA peak collector current. The BC846B-Q NPN transistor utilizes bond wires for commercial grades and AU bond wires for all other grades. The commercial-grade transistor features 200mW commercial-grade power dissipation with <625K/W thermal resistance junction to ambient. The industrial-grade transistor features 250mW commercial-grade power dissipation with <420K/W thermal resistance junction to ambient. The BC846B-Q NPN transistor is housed in a UL 94V-0 case material and available in a small SOT-363 Surface-Mount Device (SMD) package. This NPN transistor is ideal for signal processing, switching, amplification, and commercial and industrial-grade use.