MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

I MOSFET di potenza OptiMOS™ 8 di Infineon Technologies sono MOSFET a canale N a livello logico da 80 V (ISC016N08NM8 e ISC016N08NM8SC) o 100 V (ISC019N10NM8SC) con resistenza di conduzione molto bassa [RDS(ON)]. L'ISC016N08NM8SC e l'ISC019N10NM8SC sono disponibili in package raffreddati su entrambi i lati (WSON-8), mentre l'ISC016N08NM8 è fornito in un package standard TDSON-8. Ogni package offre un'eccellente resistenza termica ed è testato in valanga al 100%. I MOSFET di potenza OptiMOS™ 8 di Infineon Technologies presentano un diodo a recupero morbido e sono privi di piombo, alogeni e conformi alla direttiva RoHS.

Risultati: 9
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package
Scheda dati
220A magazzino
5.00010/06/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.33 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 59 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
Scheda dati
700A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 176 A 1.76 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
Scheda dati
350A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
Scheda dati
497A magazzino
5.00031/05/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
Scheda dati
1A magazzino
4.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 484 A 0.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Scheda dati
15.400In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
Scheda dati
1.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 408 A 0.94 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Scheda dati
4.00022/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
Scheda dati
94230/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape