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CGHV35400F1

Name: MACOM CGHV35400F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35400F1
Price: 1069.32 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

941-CGHV35400F1

N. produttore:

CGHV35400F1

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Scheda dati:

CGHV35400F1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

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	1.069,32 €	1.069,32 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
Limitazioni per la spedizione:	Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	440225
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	125 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Marchio:	MACOM
Guadagno:	11 dB
Frequenza di lavoro massima:	3.5 GHz
Frequenza di lavoro minima:	2.9 GHz
Potenza di uscita:	400 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V, 2 V

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Scheda dati

CGHV35400F1 Scheda dati (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

HEMT GaN I/O abbinato a 50 Ω da da 2,9 GHz a 3,5 GHz 400 W CGHV35400F

L'HEMT GaN I/O abbinato a 50Ω Ω da 2,9 GHz a 3,5 GHz 400 W CGHV35400F di Wolfspeed per applicazioni di amplificatori radar a banda S offre alta efficienza, alto guadagno e ampie capacità di larghezza di banda. Il transistor CGHV35400F è abbinato a 50Ω Ω sull'ingresso e 50 Ω sull'uscita.