Modulo SiC NXH040P120MNF1

Il modulo SIC NXH040P120MNF1 onsemi  contiene un semiponte MOSFET SIC 1200 V 40Mohm e un termistore NTC in un modulo F1. Il modulo ha una tensione di gate consigliata compresa tra 18 V e 20 V. Il modello NXH040P120MNF1 presenta un RDS (ON) migliorato a una tensione maggiore e una bassa resistenza termica

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Serie
Confezione

onsemi Moduli MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Scheda dati
56Disponibile a magazzino presso produttore
Altre informazioni disponibili
Min: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 30 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 113 W NXH040P120MNF1 Tray

onsemi Moduli MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Scheda dati
84Disponibile a magazzino presso produttore
Altre informazioni disponibili
Min: 28
Mult.: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH040P120MNF1 Tray