MOSFET a canale N PSMN013

I MOSFET a canale N PSMN013 di Nexperia  sono doppi MOSFET a canale N di livello logico alloggiati in un package LFPAK56D (doppio Power-SO8). I MOSFET Nexperia utilizzano la tecnologia TrenchMOS. I dispositivi sono classificati a valanga ripetitiva e certificati  per 175°C.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Nexperia MOSFET PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D
Scheda dati
1.485A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN013-60HS/SOT1205/LFPAK56D
Scheda dati
1.490A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 30.1 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel