MOSFET a canale N BUK7Y1R0-40N e BUK7Y3R1-80M

I MOSFET a canale N BUK7Y1R0-40N & BUK7Y3R1-80M di Nexperia sono progettati e qualificati per soddisfare i requisiti AEC-Q101, offrendo elevate prestazioni e resistenza. Questi MOSFET offrono commutazione rapida ed efficiente con smorzamento ottimale e picchi bassi. I MOSFET a canale N BUK7Y1R0-40N e BUK7Y3R1-80M sono incapsulati in package LFPAK56. Il MOSFET a canale N BUK7Y1R0-40N utilizza la tecnologia Trench-Trench-Bottom Oxide (E-TBO) a 15 basso ohmico, mentre il BUK7Y3R1-80M utilizza la tecnologia trench 14 a gate diviso a basso valore ohmico. Questi MOSFET a canale N sono conformi alla direttiva UE RoHS e presentano un intervallo di temperatura di giunzione massimo di 175°C. Le applicazioni tipiche includono motori, illuminazione e controllo di solenoidi, sistemi automobilistici 12 V e commutazione di potenza ad altissime prestazioni.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nexperia MOSFET BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Scheda dati
670A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 320 A 970 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 135 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Nexperia MOSFET BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
Scheda dati
119A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement