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NVHL025N65S3

Name: onsemi NVHL025N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N65S3
Price: 16.91 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVHL025N65S3

N. produttore:

NVHL025N65S3

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SUPERFET3 650V

Scheda dati:

NVHL025N65S3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	75 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	25 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	236 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	595 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	SuperFET
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	107 ns
Transconduttanza diretta - Min:	78.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	109 ns
Serie:	SPM3
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	120 ns
Tipico ritardo di accensione:	43.3 ns
Peso unità:	6 g

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Scheda dati

NVHL025N65S3 Scheda dati

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET® III

onsemi NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET^® III is an easy-drive, high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET that utilizes charge balance technology. This SUPERFET provides outstanding low ON-resistance and low gate charge performance. The NVHL025N65S3 SUPERFET minimizes conduction loss, offers good switching performance, and withstands extreme dv/dt rate. This SUPERFET manages EMI issues and allows for easy design implementation. Typical applications include automotive PHEV-BEV DC/DC converter and automotive onboard charger for PHEV-BEV.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.