MOSFET a canale N in silicio UMOS9-H

I MOSFET a canale N in silicio UMOS9-H di Toshiba sono ideali per convertitori CC-CC ad alta efficienza, regolatori di tensione di commutazione e driver motore  . Questi MOSFET dispongono di una piccola carica del gate, una piccola carica di uscita, una bassa resistenza in conduzione drain-source e una bassa corrente di dispersione. I MOSFET a canale N UMOS9-H presentano una tensione drain-source 80 V, una tensione gate-source ±20 V e una temperatura del canale di 175°C. Questi MOSFET presentano anche una corrente di dispersione del gate ±0,1µA, una corrente di taglio drain 10µA e un intervallo di temperatura di conservazione da  A a°175°C. I MOSFET a canale N UMOS9-H sono conformi a RoHS e sono disponibili in un package 0,108 g 2-5W1A (SOP Advanced (N)).