Diodi a barriera Schottky SIC TRSxE65F

I diodi a barriera Schottky TRSxE65F SiC di Toshiba mostrano il design a chip di 2a generazione e sono disponibili nelle varianti TRS6E65F e TRS8E65F. I diodi TRSxE65F presentano alta corrente di sovraccarico, piccola capacità di giunzione e piccola corrente inversa. Questi diodi sono disponibili in dimensioni 10,05 mm x 15,3 mm x 4,45 mm. I diodi a barriera Schottky TRSxE65F sono ideali per l'uso in correzione del fattore di potenza, gruppo statico di continuità e convertitori CC-CC.

Risultati: 7
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Toshiba Diodi Schottky SiC V=650 IF=8A
Scheda dati
7A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodi Schottky SiC RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Scheda dati
5A magazzino
300In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodi Schottky SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodi Schottky SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodi Schottky SiC RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodi Schottky SiC RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodi Schottky SiC V=650 IF=6A
Scheda dati
Tempo di consegna 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube