Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

MMFTP2319

Name: Diotec Semiconductor MMFTP2319
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP2319
Price: 0.31 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

637-MMFTP2319

N. produttore:

MMFTP2319

Produttore:

Diotec Semiconductor

Descrizione:

MOSFET MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Scheda dati:

MMFTP2319 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Diotec Semiconductor MMFTP2319

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diotec Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-23-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	4.2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	80 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	20 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	750 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Diotec Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	28 ns
Serie:	MMFTN/P
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

MMFTP2319 Scheda dati (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

DIOTEC SEMICONDUCTOR

DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Maggiori informazioni

DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Maggiori informazioni

DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Maggiori informazioni

DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Maggiori informazioni

DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Maggiori informazioni

Disponibilità

A magazzino:: 0

Puoi ancora acquistare questo prodotto per l'ordine in sospeso.

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 6.000

25/09/2026 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 15

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,318 €	0,32 €
	0,211 €	2,11 €
	0,146 €	14,60 €
	0,138 €	69,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,104 €	312,00 €
	0,09 €	810,00 €

MMFTP2319

Produttore: Diotec Semiconductor

Descrizione: MOSFET MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Caratteristiche tecniche

Documenti (3)

Scheda dati

Models

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

Maggiori informazioni

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Altri clienti hanno comprato anche

PRODOTTI IN PRIMO PIANO DIOTEC SEMICONDUCTOR

Disponibilità

Prezzi (EUR)

QuickView

Si è verificato un errore imprevisto.

Produttore:

Diotec Semiconductor

Descrizione:

MOSFET MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

DIOTEC SEMICONDUCTOR