MOSFET a canale N NTBGSxDxN15MC e NVBGSxDxN15MC

I MOSFET a canale N NTBGSxDxN15MC e NVBGSxDxN15MC di onsemi presentano una tensione drain-to-source di 150 V (V(BR)DSS) e bassi rumori di commutazione/EMI. Questi dispositivi offrono bassi QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver e un basso RDS(on) per minimizzare le perdite di conduzione. I MOSFET NTBGSxDxN15MC e NVBGSxDxN15MC sono disponibili in una versione con package D2PAK7 senza piombo, senza alogeni/BFR, e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono utensili elettrici, aspirapolvere a batteria, veicoli aerei (UAV)/droni senza equipaggio, movimentazione dei materiali, azionamento di motori, domotica carrelli elevatori industriali e sistemi di controllo della trazione.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 6.5 mohm, A, Single N-Channel, D2PAK7
Scheda dati
1.229A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 4.1 mohm, 185A, Single N-Channel, D2PAK7
Scheda dati
1.441A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel