Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (RDS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (RDS(on)).

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 2.296A magazzino
15.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 20 V 2.7 A 77 mOhms - 8 V, 8 V 800 mV 17 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 6.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 N-Channel 1 Channel 8 V 3.5 A 54 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 4.3 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel