MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso RDS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

Risultati: 46
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Scheda dati
118A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Scheda dati
395A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Scheda dati
677A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88
Scheda dati
5.875A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
800A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
1.555A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
750A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Scheda dati
398A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 32 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
Scheda dati
366A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Scheda dati
874A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
TO-247-4 EliteSiC

onsemi MOSFET SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-4L
Scheda dati
384A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TOLL 650V
Scheda dati
1.374A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Scheda dati
212A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC 20MOHM 900V
Scheda dati
370A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC 20MOHM 900V
Scheda dati
348A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFET SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 44mohm, 650V, M2, TO247-4L
Scheda dati
36A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L
Scheda dati
444A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
68A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
457A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Scheda dati
14A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 750V
Scheda dati
1.800Disponibile a magazzino presso produttore
Altre informazioni disponibili
Min: 450
Mult.: 450

TO-247-4 EliteSiC