MOSFET di potenza R8002ANJ e R8005ANJ e R8008ANJ

I MOSFET di potenza R8002ANJ e R8005ANJ e R8008ANJ di ROHM Semiconductor presentano bassa resistenza in conduzione e commutazione rapida. I MOSFET sono adatti per applicazioni di commutazione. I dispositivi presentano bassa resistenza in conduzione, hanno una velocità di commutazione rapida e una tensione gate-source (VGSS) garantita di ±30 V.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 5A N-CH MOSFET
Scheda dati
1.986A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 2A N-CH MOSFET
Scheda dati
1.919A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Scheda dati
1.826A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape