MOSFET di potenza 650 V CoolMOS™ CFD7A SJ

I MOSFET di potenza da 650 V CoolMOS™ CFD7A SJ di Infineon sono adatti all'applicazione in veicoli elettrici per i caricabatterie integrati, i convertitori AT-BT in CC e gli alimentatori ausiliari. Grazie alla maggiore resistenza alle radiazioni cosmiche, i MOSFET di potenza CoolMOS CFD7A SJ consentono l'applicazione di tensioni di batteria maggiori con un tasso di affidabilità pari a quello delle generazioni precedenti e di altre offerte di mercato. I MOSFET di potenza CoolMOS CFD7A SJ assicurano elevati livelli di efficienza nelle topologie hard- e soft-switching o risonanti, specialmente in condizioni di carico leggero. Si raggiungono frequenze di commutazione più elevate con livelli di perdita di gate paragonabili a quelli delle generazioni precedenti. La riduzione del peso del sistema e lo spazio occupato più ridotto si traducono in progetti più compatti.

Risultati: 48
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
503A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
664A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Scheda dati
7A magazzino
5.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
218A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
60A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
45A magazzino
24010/06/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
3.004In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 92 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
2.500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
24024/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 40 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPQC65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
72203/09/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 64 A 76 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 97 nC - 40 C + 150 C 357 W Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Scheda dati
1.880In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
240In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 19 settimane
Min: 500
Mult.: 500

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 23 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna 21 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 21 settimane
Min: 240
Mult.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 234 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 21 settimane
Min: 240
Mult.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 21 settimane
Min: 240
Mult.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane
Min: 750
Mult.: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 29 A 194 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 39 nC - 40 C + 150 C 186 W Reel
Infineon Technologies IPDQ65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPQC65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Scheda dati
Tempo di consegna 22 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape