Risultati: 10
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Collettore a corrente continua a 25 °C Corrente di perdita gate-emettitore Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 17A magazzino
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IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module
2A magazzino
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Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 36A magazzino
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Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 20A magazzino
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Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 32A magazzino
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Mult.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module 13A magazzino
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IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT PP IHM I
Tempo di consegna 14 settimane
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Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane
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IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module Tempo di consegna 22 settimane
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Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray