MOSFET a canale P NVTFS9D6P04M8L

I MOSFET a canale P NVTFS9D6P04M8L di onsemi sono MOSFET di potenza canali P singoli -40 V, -64 A che presentano una bassa RDS(on) e una bassa capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite di conduzione e del driver. I MOSFET NVTFS9D6P04M8L di onsemi sono disponibili in un ingombro ridotto di 3,3 mm x 3,3 mm per un design compatto. I MOSFET sono qualificati AEC-Q101 e compatibili PPAP. Le applicazioni tipiche Includono protezione della batteria, controllo del motore, interruttori di alimentazione, alimentatori di commutazione, interruttori di carico e driver per solenoidi.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
onsemi MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM 4.410A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 34.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM 1.163A magazzino
3.00030/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 34.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel