IRS2007STRPBF

Infineon Technologies
726-IRS2007STRPBF
IRS2007STRPBF

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta 200V half-bridge 0.6A,VCC & VBS UVLO

Modello ECAD:
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Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™
0,722 € 0,72 €
0,519 € 5,19 €
0,468 € 11,70 €
0,411 € 41,10 €
0,384 € 96,00 €
0,367 € 183,50 €
0,34 € 340,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
0,326 € 815,00 €
0,321 € 2.407,50 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
600 mA
10 V
20 V
70 ns
30 ns
- 40 C
+ 125 C
IRS200X
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Infineon Technologies
Tipo di logica: CMOS, LSTTL
Ritardo di spegnimento massimo: 220 ns
Ritardo di accensione massimo: 220 ns
Sensibili all’umidità: Yes
Tempo di stato disattivo - Max: 220 ns
Corrente di alimentazione operativa: 300 uA
Tensione di uscita: 10 V to 20 V
Pd - Dissipazione di potenza: 625 mW
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max: 220 ns
Spegnimento: No Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: Si
Nome commerciale: EiceDRIVER
Peso unità: 393,242 mg
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Attributi selezionati: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

Driver di porta con spostamento di livello 200 V

I driver di porta con spostamento di livello 200 V di Infineon includono driver trifase, a mezzo ponte o a valle per applicazioni di controllo motore a bassa (24 V, 36 V e 48 V) e media tensione (60 V, 80 V, 100 V e 120 V). Il prodotto trifase utilizza l’esclusiva tecnologia di spostamento di livello Silicon-On-Insulator  (SOI) di Infineon. Questa funzione fornisce isolamento funzionale, robustezza e negativa leader del settore e perdite di spostamento di livello ridotte. È inoltre disponibile una soluzione con diodi di bootstrap (BSD) integrati per ridurre il costo della distinta base, semplificare il layout e ridurre le dimensioni della PCB.

IRS2007 200-V Half-Bridge Drivers

Infineon Technologies IRS2007 200-V Half-Bridge Drivers are high voltage, high-speed power MOSFET drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration, which operates up to 200V. Propagation delays are matched to simplify the HVIC’s use in high-frequency applications.

CI gate driver EiceDRIVER™

I CI gate driver EiceDRIVER™ di Infineon sono progettati per dispositivi MOSFET IGBT, MOSFET SiC e HEMT GaN. I gate driver EiceDRIVER™ forniscono un'ampia gamma di opzioni tipiche della corrente di uscita, da 0,1 A fino a 10 A. Questi dispositivi sono dotati di funzionalità di robusta protezione per gate drive, come la protezione veloce per il cortocircuito (DESAT), il morsetto Miller attivo, la protezione da scatto, la protezione da guasto da sovracorrente, lo spegnimento e la protezione da sovracorrente. Queste caratteristiche rendono questi CI driver ideali per dispositivi di potenza in silicio e a banda larga, tra cui CoolGaN™ e CoolSiC™. Ecco perché Infineon offre più di 500 soluzioni CI driver di porta EiceDRIVER™ adatte a qualsiasi interruttore di alimentazione e qualsiasi applicazione.