MOSFET (D-S) a canale N SI78

I MOSFET SI78 a canale N (D-S) di Vishay Semiconductorssono disponibili in un nuovo package PowerPAK® a bassa resistenza termica con un profilo ridotto di 1,07 mm. Questi MOSFET a canale N (DS) sono ottimizzati PWM, testati per 100% Rg , privi di alogeni e conformi a RoHS. I MOSFET SI78 sono utilizzati in convertitori CC/CC, interruttori del lato primario per applicazioni CC/CC e raddrizzatori sincroni.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Vishay Semiconductors MOSFET 20V 40A 83W Non disponibile a magazzino
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Mult.: 3.000
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 20 V 40 A 2.25 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 98 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 20V 40A 83W 2.25mohm @ 10V Non disponibile a magazzino
Min: 3.000
Mult.: 3.000
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 20 V 40 A 2.25 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 98 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V 25A 1.9W Non disponibile a magazzino
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V Non disponibile a magazzino
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si TrenchFET Reel