MOSFET di potenza U-MOSVIII-H per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza U-MOSVIII-H per il settore automobilistico di Toshiba sono MOSFET di potenza a canale N da 100 V ideali per le applicazioni automobilistiche. Sono caratterizzati da una bassa resistenza di accensione grazie a una tecnologia proprietaria che utilizza un connettore in Cu. Hanno un intervallo di tensione di soglia del gate ridotto da 2,5 V a 3,5 V, il che riduce la tolleranza del tempo di commutazione.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Scheda dati
3.00016/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Scheda dati
3.00016/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Scheda dati
3.00016/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape