RH7P04BBKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7P04BBKFRATCB
RH7P04BBKFRATCB

Produttore:

Descrizione:
MOSFET DFN8 N CHAN 100V

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
13.8 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
19.8 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 12 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 19 ns
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 50 ns
Tipico ritardo di accensione: 14 ns
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza RH7P04BBKFRA da 100 V a canale N

Il MOSFET di potenza RH7P04BBKFRA 100 V canale N della ROHM Semiconductor è un MOSFET per il settore automobilistico con tensione di drain voltage (VDSS) di 100 V e drain current continua (ID) di ±40 A, con certificazione AEC-Q101. La resistenza in stato attivo drain-source [RDS(ON)] è di 13,8 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A) e viene fornita in un package DFN-8 (DFN3333T8LSAB) di 3,3 mm x 3,3 mm. Il MOSFET RH7P04BBKFRA di ROHM Semiconductor è ideale per sistemi avanzati di assistenza al conducente (ADAS), applicazioni di informazione, illuminazione e carrozzeria.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.