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NTB110N65S3HF

Name: onsemi NTB110N65S3HF
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB110N65S3HF
Price: 5.31 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTB110N65S3HF

N. produttore:

NTB110N65S3HF

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110M

Scheda dati:

NTB110N65S3HF Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	5,31 €	5,31 €
	3,75 €	37,50 €
	3,12 €	312,00 €
	2,70 €	1.350,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)
	2,70 €	2.160,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	110 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	62 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	240 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	SuperFET III
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	25 ns
Transconduttanza diretta - Min:	18 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	25 ns
Serie:	SuperFET3
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	85 ns
Tipico ritardo di accensione:	24 ns
Peso unità:	1,485 g

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Scheda dati

NTB110N65S3HF Scheda dati

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NTB110N65S3HF 650V 30A SUPERFET^® III Power MOSFET is a high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET utilizing Charge Balance technology for outstanding low on-resistance and low gate charge performance. Charge Balance technology minimizes conduction loss, providing superior switching performance, and enabling the ability to withstand extreme dV/dt rates. The NTB110N65S3HF SUPERFET III MOSFET is ideal for power systems requiring miniaturization and high efficiency. The NTB110N65S3HF also features optimized reverse recovery body diode performance, resulting in fewer required additional components, and improved system reliability.