Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

NTMFSS0D9N03P8

Name: onsemi NTMFSS0D9N03P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSS0D9N03P8
Price: 2.39 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

863-NTMFSS0D9N03P8

N. produttore:

NTMFSS0D9N03P8

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NTMFSS0D9N03P8 Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi NTMFSS0D9N03P8

A magazzino: 2.888

A magazzino:: 2.888 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 27 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Lunghi tempi di consegna per questo prodotto.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,39 €	2,39 €
	1,55 €	15,50 €
	1,11 €	111,00 €
	0,929 €	464,50 €
	0,799 €	799,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,799 €	2.397,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TDFN-9
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	294 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	127 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	125 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	49.5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	19.3 ns
Serie:	NTMFSS0D9N03P8
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	125.4 ns
Tipico ritardo di accensione:	20.4 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

NTMFSS0D9N03P8 Scheda dati

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale N NTMFSS0D9N03P8

Il MOSFET a canale N NTMFSS0D9N03P8 di onsemi è un MOSFET a sorgente singola che presenta un basso_RDS(on)per ridurre al minimo le perdite di conduzione e un basso_QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver. Questo MOSFET a canale N opera con una tensione drain-to-source (VDS) di 30 V, una tensione gate-to-source (VGS) di ±20 V e una corrente di drain di 294 A. Il MOSFET NTMFSS0D9N03P8 è disponibile in un package da 5 mm x 6 mm con sorgente verso il basso e gate centrale per migliorare la densità di potenza, l'efficienza e le prestazioni termiche. Questo MOSFET a canale N è senza piombo, senza alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS. Il MOSFET NTMFSS0D9N03P8 è ideale per ORing, azionamenti motori interruttori di carico di potenza e CC/CC.