Transistor PNP di media potenza BCP53M

Il transistor PNP di media potenza BCP53M di onsemi è un dispositivo da 80 V, 1 A progettato per applicazioni di amplificatori per uso generico. Questo transistor è alloggiato in un packageDFN2020-3 wettable flank per un’ispezione ottica automatica (AOI) ottimale e ha prestazioni termiche superiori. Il transistor di media potenza BCP53M opera in un intervallo di temperatura di conservazione e giunzione da -65°C a 150°C. Questo transistor PNP è qualificato AEC-Q101, compatibile con PPAP, senza piombo, senza alogeni/BFR e conforme a RoHS. Il transistor di media potenza BCP53M è ideale per commutazione e amplificazione per uso generico e ECU per il settore automobilistico.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Configurazione Corrente CC massima collettore Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione base-collettore VCBO Tensione emettitore-base VEBO Tensione di saturazione collettore-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Prodotto guadagno-larghezza di banda fT Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
onsemi Transistor bipolari - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2 202A magazzino
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BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2 2.999A magazzino
3.00003/07/2026 previsto
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Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
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12.00015/05/2026 previsto
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Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi Transistor bipolari - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
6.00008/05/2026 previsto
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Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape