NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Texas Instruments MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTT Tempo di consegna 12 settimane
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 194 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19505KTT Tempo di consegna, se non a magazzino 6 settimane
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Nastrati: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 76 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302L A 595-CSD85302L Tempo di consegna 6 settimane
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Si SMD/SMT PICOSTAR-4 N-Channel 2 Channel 20 V 7 A 24 mOhms - 10 V, 10 V 680 mV 6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel