CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low RDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

Risultati: 5
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Central Semiconductor MOSFET 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Scheda dati
487A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Scheda dati
429A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 29A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Scheda dati
429A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Scheda dati
474A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 7.3A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Scheda dati
500A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.3 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube