MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 46.568A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V 3.950A magazzino
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Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 2 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms - 7 V, 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V 7.454A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms - 7 V, 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 5.546A magazzino
6.00007/08/2026 previsto
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 1.106A magazzino
12.000In ordine
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Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
6.000In ordine
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 6 nC + 150 C 1.6 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package
2.98902/07/2026 previsto
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 440 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel