HV7355K6-G

Microchip Technology
689-HV7355K6-G
HV7355K6-G

Produttore:

Descrizione:
Front End RF 8 CH, HIGH SPEED UNIPOLAR, ULTRA

Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 372

A magazzino:
372 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
7 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
14,02 € 14,02 €
11,67 € 291,75 €
10,63 € 1.063,00 €

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Microchip
Categoria prodotto: Front End RF
RoHS::  
5 V
50 uA
+ 125 C
SMD/SMT
QFN-56
Tray
Marchio: Microchip Technology
Temperatura di lavoro minima: - 40 C
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: RF Front End
Quantità colli di fabbrica: 250
Sottocategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Tecnologia: Si
Peso unità: 191,400 mg
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Generatore di impulsi a ultrasuoni, otto canali HV7355

Il generatore di impulsi a ultrasuoni, otto canali HV7355 di Microchip offre un generatore a impulsi elevati, alta tensione unipolare a quattro canali. Il dispositivo Microchip HV7355 è progettato per applicazioni a ultrasuoni del settore medicale. Questo circuito integrato ad alta tensione e ad alta velocità può essere utilizzato anche per altri sensori piezoelettrici, capacitivi o MEMS in applicazioni di rilevamento e sonar ranger a ultrasuoni non distruttivi. Il dispositivo HV7355 è costituito da un circuito di interfaccia logico di controllo, traslatori di livello, gate drive per MOSFET e MOSFET di alimentazione a canale P e canale N ad alta tensione nonché stadio di uscita per ciascun canale. Gli stadi di uscita di ciascun canale sono progettati per fornire correnti di uscita di picco superiori a ± 1,5 per impulso, quando MC = 1, con oscillazioni fino a 150 V. Quando MC = 0, tutte le fasi di uscita riducono la corrente di picco di ± 500 mA per un funzionamento in modalità CW a bassa tensione al fine di risparmiare energia. Questa topologia di accoppiamento diretto del gate driver consente non solo di risparmiare un condensatore ad alta tensione per canale, ma rende anche il layout PCB più facile.
Maggiori informazioni