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SIZF906BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF906BDT-T1-GE3
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SIZF906BDT-T1-GE3

N. produttore:

SIZF906BDT-T1-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

Scheda dati:

SIZF906BDT-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,37 €	2,37 €
	1,54 €	15,40 €
	1,06 €	106,00 €
	0,859 €	429,50 €
	0,794 €	794,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,729 €	2.187,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAIR-6x5F-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	105 A, 257 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	680 uOhms, 2.1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.2 V
Qg - Carica del gate:	25 nC, 81 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	38 W, 83 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	5 ns, 10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	93 S, 170 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5 ns, 30 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	22 ns, 40 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns, 20 ns
Peso unità:	337,318 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZF906BDT MOSFET a doppio canale N (D-S)

Il MOSFET SiZF906BDT a doppio canale N (D-S) di Vishay / Siliconix è un MOSFET a basso lato SkyFET^® con schottky integrato. Il MOSFET di potenza di 4ª generazione TrenchFET^® è offerto in un package PowerPAIR 6x5F ed è testato al 100% Rg e UIS. Il doppio MOSFET SiZF906BDT di Vishay / Siliconix è ideale per l'alimentazione dei core delle CPU, delle periferiche dei computer/server, dei POL, dei convertitori buck sincroni e delle applicazioni CC/CC delle telecomunicazioni.