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NV6257-RA

Name: Navitas Semiconductor NV6257-RA
Brand: Navitas Semiconductor
SKU: 740-NV6257-RA
Price: 10.91 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

740-NV6257-RA

N. produttore:

NV6257-RA

Produttore:

Navitas Semiconductor

Descrizione:

Specializzati nel risparmio energetico - PMIC

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NV6257-RA Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	10,91 €	10,91 €
	8,88 €	88,80 €
	8,46 €	211,50 €
	7,34 €	734,00 €
	7,02 €	1.755,00 €
	6,40 €	3.200,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Navitas Semiconductor
Categoria prodotto:	Specializzati nel risparmio energetico - PMIC
RoHS::
Serie:	GaNSense Motor Drive
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Navitas Semiconductor
Tipo di prodotto:	Power Management Specialized - PMIC
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs

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Scheda dati

NV6257-RA Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

NV6257 650V Half-Bridge GaNFast™ Power ICs

Navitas Semiconductor NV6257 650V Half-Bridge GaNFast™ Power ICs are designed for high-frequency, soft-switching topologies. The Navitas Semiconductor NV6257 integrates two eMode GaN FETs (275mΩ high-side, 175mΩ low-side) with simple logic inputs, delivering a compact, efficient, and fast powertrain. Featuring industry-leading dV/dt immunity, integrated protection, and a low-profile 6mm x 8mm QFN package, it simplifies GaN technology adoption for designers. Navitas’ GaNFast ICs enhance traditional topologies like flyback, half-bridge, buck/boost, and resonant to MHz+ frequencies, enabling breakthrough designs with exceptional power density and efficiency.

GaNSense™ Half-Bridge Power ICs

Navitas Semiconductor GaNSense™ Half-Bridge Power ICs are fully integrated and protected GaN ICs with bidirectional lossless current sensing. These power ICs deliver 4% higher efficiency, 15% lower system cost, and a 40% smaller footprint. The GaNSense half-bridge power ICs combine two GaN FETs in a half-bridge configuration with drive, control, sensing, and autonomous protection. These ICs provide autonomous low-current standby mode and autonomous synchronous rectification mode. The GaNSense half-bridge power ICs include several safety features, such as high- and low-side short circuit protection, Over-Temperature Protection (OTP), and 2kV ESD on all pins. Typical applications include air conditioners, heat pumps, washing machines, dryers, dishwashers, refrigerators, and hair dryers. For low-power industrial drives, applications range from pumps to circulators and fans.

CI di alimentazione GaNFast™

I CI di alimentazione GanFast™ di Navitas Semiconductor sono blocchi di costruzione "digital-in, power-out" facili da usare, ad alta velocità e ad alte prestazioni. I componenti presentano un gate drive integrato, ingressi V_CC e PWM ad ampia portata, protezione ESD interna da 2 kV e un grande pad termico di raffreddamento. L'integrazione in modo monolitico delle fasi del driver e di potenza consente di raggiungere elevate frequenze di commutazione mantenendo il segnale pulito ed eliminando l'eventuale rumore indesiderato che incide sul controllo e l'affidabilità del dispositivo. I CI di alimentazione GaNFast consentono il funzionamento ad alta frequenza grazie alla facilità di utilizzo, alla flessibilità del design e alla compatibilità con topologie e controller molto diffusi.