MOSFET BUK9Q Trench canale N

Il MOSFET N-Channel Trench BXK9Q29-60A di Nexperia è un transistor a effetto campo (FET) in modalità di miglioramento in un piccolo package plastico SMD SOT8002-3 (MLPAK33) che utilizza la tecnologia MOSFET trench. Questo MOSFET N-channel è compatibile a livello logico, con commutazione rapida e completamente qualificato per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C. Il MOSFET trench BXK9Q29-60A presenta una tensione massima drain-source di 60 V, una corrente massima di picco del drain di 84 A e una dissipazione di potenza totale massima di 27 W. Questo MOSFET a canale N presenta anche unΩ tipico drain-source resistenza in stato attivo da 23,7 mJ, valanga energia drain-source non ripetitivo massimo da 25 mJ e un valanga corrente non ripetitivo massimo da 15,8 A. Il MOSFET trench BXK9Q29-60A è conforme alle normative EU/CN RoHS. Le applicazioni tipiche includono l'illuminazione a LED, i circuiti di commutazione e la conversione CC-CC.