EPC2305

Name: EPC EPC2305
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2305
Price: 7.01 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

65-EPC2305

N. produttore:

EPC2305

Produttore:

EPC

Descrizione:

GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

Ciclo di vita:

Nuovo a Mouser

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EPC2305 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	EPC
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	133 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	22 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	eGaN FET
Marchio:	EPC
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	Power Transistor
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	31,200 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
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EPC2305

Produttore: EPC

Descrizione: GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

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