Transistor di potenza RF GaN QPD1035

I transistor di potenza RF GaN QPD1035 di Qorvo  sono GaN discreto 40 W su HEMT SiC che operano da CC a 6 GHz con un’alimentazione 50 V. I transistor   QPD1035 di Qorvo presentano un pre-accoppiamento di ingresso che li rende ideali per amplificatori a banda larga nelle operazioni a impulsi e CW. I dispositivi sono privi di piombo e conformi a RoHS.