EICEDriver™ CI driver gate isolato potenziato

Infineon Technologies offre ™ caratteristiche di protezione come DESAT, Morsetto miller, soft-off per la MOSFET ricerca e SiC MOSFET IGBTs, CI driver gate isolato potenziato per lo sviluppo tecnologico. Questi driver isolati sono basati sui nostri Coreless trasformatori di tecnologia CT, che consentono un’immunità al transitorio mondo modo comune classe (CMTI) di 300kV/μs. Il morsetto miller e l'accurata protezione da cortocircuito (DESAT) consentono una sicurezza di application superiore evitando l'accensione ed il cortocircuito dei parassiti durante la guida del MOSFET SiC CoolSiC e del TRENCHSTOP IGBT7. L’EICEDRIVER™driver isolato fornisce funzioni capacità di guida fino a 9 A, rendendo solutions survoltore obsolete. I modelli CI driver gate a canale singolo e doppio sono disponibili nelle versioni X3 e CI driver gate famiglia famiglia digitale analogico 1ED34xx. I CI driver di gate 1ED34xx e 1ED38xx offrono 9 A di corrente di uscita e 40 Vmax di tensione di uscita in un package DSO-16 salva spazio a corpo largo passo fine con dispersione di 8 mm. Questi circuiti integrati caratteristiche di cortocircuito bloccaggio e arresto attivo e offrono il più alto isolamento capacità ambito per il modello Solare application inverter 1500 V DC.

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Infineon Technologies Driver di porta ISOLATED DRIVER Tempo di consegna, se non a magazzino 29 settimane
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Infineon Technologies Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Evaluation Board for 1ED020I12-B2 - Galvanic isolated single channel IGBT driver IC with CT technology for 600V/1200V IGBTs N/A
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