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STGHU30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGHU30M65DF2AG
Price: 3.81 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGHU30M65DF2AG

N. produttore:

STGHU30M65DF2AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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Scheda dati:

STGHU30M65DF2AG Scheda dati (PDF)

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 600)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,81 €	3,81 €
	2,53 €	25,30 €
	1,79 €	179,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 600)
	1,44 €	864,00 €
	1,39 €	1.668,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	HU3PAK-7
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.6 V
Tensione gate-emettitore massima:	20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	87 A
Pd - Dissipazione di potenza:	441 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	57 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 nA
Tipo di prodotto:	IGBTs
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	2,320 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT di grado automobilistico STGHU30M65DF2AG

L’IGBT di grado automobilistico STGHU30M65DF2AG di STMicroelectronics è sviluppato utilizzando un’avanzata struttura trench-gate field-stop. L'STGHU30M65DF2AG di STMicroelectronics offre un equilibrio ideale tra prestazioni ed efficienza dell’inverter, con bassa perdita di potenza e protezione da cortocircuiti. Il coefficiente di temperatura V_CE(sat) positivo e la distribuzione uniforme dei parametri migliorano il funzionamento in parallelo sicuro.