MOSFET di potenza IRL

I MOSFET di potenza IRL di Vishay offrono un equilibrio ottimale tra commutazione rapida, progettazione robusta, bassa resistenza di accensione ed efficienza dei costi. I MOSFET IRL di Vishay sono disponibili nei package SOT-223 e DPAK. Questi MOSFET supportano il montaggio superficiale mediante tecniche di fase vapore, infrarosso o saldatura ad onda. Il package SOT-223 presenta una linguetta ingrandita per prestazioni termiche migliorate, consentendo una dissipazione di potenza superiore a 1,25 W, mentre il package DPAK consente una dissipazione di potenza fino a 1,5 W nelle applicazioni tipiche. Le serie IRLU e SiHLU offrono anche un'opzione di collegamento dritto per il montaggio a foro passante.

Risultati: 23
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione

Vishay / Siliconix MOSFET SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET 90.534A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU 5.328A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 30 Amp 1.186A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 28 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 66 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp 32.720A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU 5.900A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 2.937A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET 5.540A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 11.364A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 8A 162A magazzino
3.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 5A magazzino
18.00029/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR 2.060A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET SOT223 N-CH 60V 2.7A
32.490In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
9.75005/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
9.13212/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non disponibile a magazzino
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non disponibile a magazzino
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non disponibile a magazzino
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non disponibile a magazzino
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp Non disponibile a magazzino
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000
No
Si Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non disponibile a magazzino
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Nastrati: 2.000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
No
Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1
No
Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU Non disponibile a magazzino
Min: 3.000
Mult.: 3.000
No
Si Through Hole TO-251-3 Tube